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　　微(wei)(wei)軟(ruan)之所以加(jia)入(ru)HMCC，是(shi)(shi)因為正在考慮如何對應很可能(neng)會成為個(ge)人電腦和計算(suan)機性能(neng)提升的(de)“內存瓶頸(jing)”問題。內存瓶頸(jing)是(shi)(shi)指隨著微(wei)(wei)處(chu)理(li)器的(de)性能(neng)通過多(duo)核化不(bu)(bu)斷提升，現行架構的(de)DRAM的(de)性能(neng)將無法滿足處(chu)理(li)器的(de)需要(yao)。如果不(bu)(bu)解決這個(ge)問題，就會發生(sheng)即使購買計算(suan)機新產品，實(shi)際性能(neng)也(ye)得不(bu)(bu)到相應提升的(de)情況。與之相比，如果把(ba)基(ji)于TSV的(de)HMC應用于計算(suan)機的(de)主(zhu)存儲(chu)器，數據傳輸速度就能(neng)夠提高到現行DRAM的(de)約15倍，因此，不(bu)(bu)只是(shi)(shi)微(wei)(wei)軟(ruan)，微(wei)(wei)處(chu)理(li)器巨頭(tou)美國(guo)英特爾等公司也(ye)在積(ji)極研(yan)究采用HMC。

　　其(qi)實，計劃(hua)采(cai)用(yong)TSV的(de)(de)并(bing)不只是HMC等DRAM產(chan)品。按照(zhao)半導體廠商(shang)的(de)(de)計劃(hua)，在(zai)今后數年間，從承擔(dan)電子設(she)備輸入(ru)功能(neng)的(de)(de)CMOS傳感器到負責運(yun)算(suan)的(de)(de)FPGA和多核處理(li)器，以(yi)及掌(zhang)管產(chan)品存(cun)儲的(de)(de)DRAM和NAND閃存(cun)都將相繼導入(ru)TSV。如果計劃(hua)如期(qi)進行，TSV將擔(dan)負起輸入(ru)、運(yun)算(suan)、存(cun)儲等電子設(she)備的(de)(de)主要(yao)功能(neng)。